雷军：小米研发大模型的方向是轻量化和本地部署

作者：Nairo发布时间：2024-01-01

在之前的年度演讲中，雷军提到今年4月，小米正式组建AI大模型团队。而且小爱同学正式升级生成式大模型，已经开始测试，小米高管最新表态很快会实现端侧AI模型能力。这篇文章来自小米创始人雷军公众号的分享，详细解释了小米大模型的台前幕后，希望能对大家了解小米大模型有所帮助。...【查看原文】

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在之前的年度演讲中，雷军提到今年4月，小米正式组建AI大模型团队。而且小爱同学正式升级生成式大模型，已经开始测试，小米高管最新表态很快会实现端侧AI模型能力。这篇文章来自小米创始人雷军公众号的分享，详细解释了小米大模型的台前幕后，希望能对大家了解小米大模型有所帮助。

AI大模型

Nairo 2023-08-25

雷军发文谈大模型及AIGC：小米正在研发有趣的技术和产品

鞭牛士4月14日消息，今日晚间，雷军发文谈大模型和AIGC，小米在AI领域已经耕耘多年，有AI实验室、小爱同学、自动驾驶等团队。对于大模型，我们当然会全力以赴，坚决拥抱。我们正在研发一些有趣的技术和产品，等我…

AIGC 自动驾驶

鞭牛士 2023-04-14

金融界 2024-03-18

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固德威电源科技取得一种轻质光伏系统专利，解决了轻质光伏组件相关技术问题

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，固德威电源科技（广德）有限公司取得一项名为“一种轻质光伏系统”的专利，授权公告号CN222214189U，申请日期为2023年12月。

金融界 2024-12-28

深圳市大合半导体科技有限公司取得荧光胶量可控型LED灯封装结构专利，能够防止因为荧光胶过多而造成LED灯透光性下降

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，深圳市大合半导体科技有限公司取得一项名为“一种荧光胶量可控型LED灯封装结构”的专利，授权公告号CN222214201U，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本实用新型公开了一种荧光胶量可控型LED灯封装结构，包括调节模块、LED基板、操作台、固定模块。

金融界 2024-12-28

武汉帝尔激光取得无主栅太阳能电池片激光诱导烧结装置专利，优化金属-半导体接触结构

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，武汉帝尔激光科技股份有限公司取得一项名为“一种无主栅太阳能电池片激光诱导烧结装置”的专利，授权公告号CN222214195U，申请日期为2024年1月。

金融界 2024-12-28

福建华佳彩取得提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板专利，提高TFT阵列基板的开口率

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，福建华佳彩有限公司取得一项名为“种提高开口率的低寄生电容TFT阵列基板”的专利，授权公告号CN222214179U，申请日期为2023年2月。

金融界 2024-12-28

芯探取得一种芯片抗干扰结构专利，提高器件的信号质量和性能稳定性

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，芯探（上海）科技有限公司取得一项名为“一种芯片抗干扰结构”的专利，授权公告号CN222214186U，申请日期为2024年5月。

金融界 2024-12-28

安徽吕顺智能科技取得一种光伏玻璃背板压合装置专利，提高背板压合效果

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，安徽吕顺智能科技有限公司取得一项名为“一种光伏玻璃背板压合装置”的专利，授权公告号CN222214199U，申请日期为2024年5月。

金融界 2024-12-28

阜宁协鑫集成取得一种返修电池串弧预防与整理装置专利，防止多个返修电池件之间出现串弧的情况

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，阜宁协鑫集成科技有限公司取得一项名为“一种返修电池串弧预防与整理装置”的专利，授权公告号CN222214198U，申请日期为2024年5月。专利摘要显示，本实用新型涉及光伏组件生产技术领域，且公开了一种返修电池串弧预防与整理装置。

金融界 2024-12-28

南通晶天新能源取得微结构棱镜间隙转光膜专利，能够提高光电转化效率

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金融界 2024-12-28

时创能源取得一种背接触叠栅结构电池片及电池专利，大幅减少银耗量，降低电池成本

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，常州时创能源股份有限公司取得一项名为“一种背接触叠栅结构电池片及电池”的专利，授权公告号CN222214187U，申请日期为2024年1月。

金融界 2024-12-28

泰科天润取得一种低阻平面栅碳化硅MOSFET专利，使得功率器件的导通电阻进一步的降低

金融界2024年12月28日消息，国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“一种低阻平面栅碳化硅MOSFET”的专利，授权公告号CN222214181U，申请日期为2024年3月。

金融界 2024-12-28

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